2003-12-01 至 2003-12-06
共 2 位
| 系統識別號 | C09302075 |
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| 主題分類 | 公共工程 |
| 施政分類 | 工程管理 |
| 計畫名稱 | 參訪SEMICONJapan2003展覽會及NAPSON公司 |
| 報告名稱 | 參訪SEMICONJapan2003展覽會及NAPSON公司 |
| 電子全文檔 | |
| 報告日期 | 2004-02-24 |
| 報告書頁數 | 22 |
| 出國期間 | 2003-12-01 至 2003-12-06 |
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| 前往地區 |
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| 參訪機關 | |
| 出國類別 | 考察 |
| 關鍵詞 | 介電層材料(Low-k),剝離(delaminating)CMP(FixedAbrasiveCMP;FA-CMP),氧化層低陷(Oxidedishing) |
| 備註 | 參訪大型展覽會可實地觀摩各國CMP設備供應商之最新產品及相關技術,瞭解最新之技術發展趨勢與市場動向,相信對本院軍民通用科技案之CMP設備研發之未來發展提供絕佳的諮詢,而商品資訊與商情的獲得更可以運用現有的商品元件於研發當中,使研發工作事半功倍,縮短研發時程,提高研發效益。 |
| 計畫主辦機關 | 國防部中山科學研究院 | |||||||||||||||
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| 出國人員 |
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| 為配合經濟部委託之科專「新興產業精密機械系統關鍵技術計畫-半導體與光電產業製程設備」之需,參觀SEMICONJapan2003半導體設備展及NAPSON公司。在日本東京地區舉行之半導體生產設備及材料大展—SEMNICONJapan,其展出規模僅次於SEMICONWEST為世界上第二大之半導體產業專業展覽會。依據ITRS發展藍圖,半導體製程預計自2004年起進入90奈米時代,2007年起進入65奈米,而在2010年起50奈米將成為技術主流,對於所需之關鍵技術指標如導線層與介電層可能使用之材料及其相關製程與技術要求等均已作詳細規劃。此次展覽以邁入90奈米製程所遭遇問題之解決方案,提供最新技術與製程設備等為展出內容。參訪NAPSON公司,了解其四點探針應用於金屬薄膜(Cu、TaN)厚度的量測技術。此趟行程正為化學機械研磨（ChemicalMechanicalPolish;CMP）之研發工作提供最佳之觀摩機會,在瞭解CMP研磨技術發展現況與最新相關資訊後,使CMP研發工作能收事半功倍之效,也能讓研發成果符合未來發展與市場需求。 |
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