| 本次參加在新加坡舉辦「2012年先進材料年輕研究學者國際研討會」,自民國101年7月1日至民國101年7月6日為期六天學術研討會,會議地點在新加坡MATRIXBuilding舉行,此會議是由國際材料研究協會(IUMRS)主辦,發啟一個全球料網路(GlobalMaterialsNetwork)針對年輕研究學者舉行之研討會,本次參與會議期間為7/4~7/6,於7/4中午參與會議,這次會議於7/5早上10:30-12:25參與OM4III-VSemiconductorsandApplications場次議程,由Dr.SohChewBeng,於11:20~11:40以邀請演講方式(InvitedSpeaker)發表研究成果,發表題目為：「OpticalPropertiesofanInGaNLightEmittingDiodeGrownonaPyramid-shapedPatternSapphireSubstrate」,論文重點：報告將氮化銦鎵發光二極體磊晶成長於角錐截角與角尖錐圖案化藍寶石基板,藉由TEM分析微結構、缺陷分析與側向磊晶成長抑制缺線密度,利用顯微螢光光譜分析內部量子效率與壓電場特性,探討成長於角尖錐圖案化藍寶石基板之高效率氮化銦鎵發光二極體之效率提升成因。與會學者在會場對圖案化基板磊晶技術、光譜分析技術、活性層壓電場量測技術提出相關問題,對磊晶與量測技術相當感興趣。 |