2012-08-11 至 2012-08-18
共 1 位
| 系統識別號 | C10103628 |
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| 主題分類 | 科學技術 |
| 施政分類 | 計畫 |
| 計畫名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫 |
| 報告名稱 | 光電半導體元件與系統應用關鍵計畫-雷射光電技術出國報告 |
| 電子全文檔 | |
| 報告日期 | 2012-09-17 |
| 報告書頁數 | 33 |
| 出國期間 | 2012-08-11 至 2012-08-18 |
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| 前往地區 |
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| 參訪機關 | 光學與光子國際學會 |
| 出國類別 | 其他 |
| 關鍵詞 | 紅外線感測,奈米結構,光電材料,光電元件 |
| 計畫主辦機關 | 國防部軍備局中山科學研究院 | ||||||||||
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| 出國人員 |
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| 為執行101年度經濟部科技專案光電半導體元件與系統應用關鍵計畫,派員赴美國參加2012SPIE光學與光子國際研討會,瞭解國際間光學量測應用技術、紅外線材料發展與元件製程技術、奈米結構於光電元件應用等最科技發展趨勢,內容包含新紅外線材料技術研發與應用,以及元件製程技術的改善,相關研發成果有助於改良現有紅外線感測元件；而奈米結構應用於光電與電子元件之效能提升與元件結構開發,均有助於本院光電元件技術發展,提升技術能量；另外,展覽會場所收集之室溫熱像相關資料,亦可作為未來發展高階室溫熱像產品之參考,俾利計畫執行與未來建案規劃。 |
| 前往原始報告頁面：http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C10103628 |