C09901768-出席第217屆電化學學會會議報告

出國期間

2010-04-24 至 2010-05-02

前往地區

加拿大

出國人數

共 1 位

基本資料
系統識別號	C09901768
主題分類	科學技術
施政分類	科學技術發展長中程計畫
計畫名稱	高銦與高鋁含量氮化鎵系列材料之開發與光電能源元件整合研究--子計畫三：高鋁含量氮化鋁鎵材料之磊晶成長與光電能源元件開發
報告名稱	出席第217屆電化學學會會議報告
電子全文檔	C09901768_1.pdf
報告日期	2010-04-27
報告書頁數	6

其他資料
出國期間	2010-04-24 至 2010-05-02
前往地區	加拿大
參訪機關	無
出國類別	其他
關鍵詞	氮化銦鎵發光二極體

計畫主辦機關資訊

計畫主辦機關

國立中興大學

出國人員

姓名	服務機關	服務單位	職稱	官職等
林佳鋒	國立中興大學	材料科學與工程學系	副教授	教師

報告內容摘要
今年度於本次參加在加拿大溫哥華舉辦「第217屆電化學會議」,自民國99年4月25日至民國99年4月30日為期六天學術研討會,主要參與「E6-Wide-BandgapSemiconductorMaterialsandDevices11」主題,在4月25日當天到會場HyattRegencyVancouver三樓報到並領取會議資料。於4月27日18:00在FairmontHotelVancouver發表本次報告題目：「InGaN-BasedLightEmittingDiodeswithanAlNSacrificialBufferLayerforChemicalLift-OffProcess」,報告重點為利用氮化鋁犧牲層與成長於圖案化基板所產生之空氣孔洞於氮化鎵/氧化鋁基板間進行化學濕式蝕刻,可有效加速氮化鋁移除速率,達到氮化銦鎵發光二極體磊晶膜與基板分離技術,是繼雷射基板剝離技術後,為另一種避免高能雷射造成磊晶片受損之基板分離技術。
前往原始報告頁面：http://report.nat.gov.tw/ReportFront/report_detail.jspx?sysId=C09901768

報告內容摘要

今年度於本次參加在加拿大溫哥華舉辦「第217屆電化學會議」,自民國99年4月25日至民國99年4月30日為期六天學術研討會,主要參與「E6-Wide-BandgapSemiconductorMaterialsandDevices11」主題,在4月25日當天到會場HyattRegencyVancouver三樓報到並領取會議資料。於4月27日18:00在FairmontHotelVancouver發表本次報告題目：「InGaN-BasedLightEmittingDiodeswithanAlNSacrificialBufferLayerforChemicalLift-OffProcess」,報告重點為利用氮化鋁犧牲層與成長於圖案化基板所產生之空氣孔洞於氮化鎵/氧化鋁基板間進行化學濕式蝕刻,可有效加速氮化鋁移除速率,達到氮化銦鎵發光二極體磊晶膜與基板分離技術,是繼雷射基板剝離技術後,為另一種避免高能雷射造成磊晶片受損之基板分離技術。

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